TOKYO - Dimanche 7 Avril 2013 [ME NewsWire]
(BUSINESS WIRE)--Toshiba (TOKYO : 6502) :
Les dispositifs de puissance sont des produits stratégiques à la pointe du secteur des boîtiers discrets. En électronique de puissance, Toshiba cible le développement des MOSFET et des IGBT, des dispositifs indispensables pour la protection d'un approvisionnement électrique stable et efficace, une condition préalable pour les communautés intelligentes florissantes qui utilisent les « big data » en temps réel pour réaliser une infrastructure hautes performances, réactive à l'évolution du changement.
L'utilisation efficace de l'énergie et des capacités de stockage est un point crucial dans les applications industrielles, y compris l'alimentation des stations de base nécessaires à la gestion du nombre croissant de téléphones intelligents et de tablettes PC, l'alimentation des serveurs dans les data centers et les automobiles intelligentes, et les parcs éoliens et autres énergies renouvelables. Les MOSFET et les IGBT de Toshiba peuvent jouer un rôle vital dans toute solution efficace répondant à ces besoins.
Le modèle U-MOS VIII-H, notre toute dernier MOSFET fabriqué en utilisant un procédé par tranchée de huitième génération, assure des performances de premier plan pour obtenir une réduction de 50 % de RONA et une réduction de 40 % dans RONCiss par rapport aux produits antérieurs, tels que les convertisseurs CA-CC et CC-CC. Nos projets prévoient le lancement d'un large éventail de produits à VDSS de 30 V à 250 V d'ici septembre 2013 pour répondre aux besoins des applications industrielles, et notamment des alimentations extrêmement efficaces pour les serveurs et les stations de base.
Lors du premier semestre fiscal 2013, Toshiba enrichira également le choix de ses composants montés en surface (Surface Mount Devices, SMD) avec une résistance minimale du boîtier en proposant une gamme de produits à VDSS de 30 V à 250 V. Les produits réaliseront une électronique efficace à puissance élevée pour les applications industrielles telles que les convertisseurs CA-CC et CC-CC pour l'alimentation des serveurs, stations de base et micro-onduleurs photovoltaïques.
En commentant les nouveaux produits, M. Satoshi Taji, assistant du directeur général de la division des semiconducteurs discrets, Semiconductor & Storage Products Company, a déclaré : « Nos nouveaux dispositifs de puissance sont les fruits de notre expérience d'entreprise à l'échelle mondiale et de notre détermination à soutenir nos clients en assurant un rôle de leadership dans la fonction, la qualité et les coûts, et l'alimentation. Notre engagement envers nos clients est total, et nous avons déjà commencé à développer les produits de prochaine génération avec pour objectif de produire des solutions encore plus perfectionnées ».
D'autres informations sur les dispositifs de puissance de Toshiba sont disponibles à :
• Entretiens avec des ingénieurs impliqués dans le développement de DTMOSIV et U-MOS VIII-H
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/mos/interview.html
• Points forts des tout derniers MOSFET basse tension
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/mos/lvmos.html
À propos de Toshiba
Toshiba est un fabricant leader mondial diversifié qui propose des solutions et commercialise des produits et des systèmes électroniques et électriques de pointe. Le groupe Toshiba apporte innovation et imagination à un large éventail d’activités : produits numériques (notamment téléviseurs LCD, PC portables, solutions de vente au détail et produits multifonctions) ; dispositifs électroniques (y compris des semi-conducteurs, des produits et du matériel de stockage) ; systèmes d’infrastructure industrielle et sociale (dont des systèmes de production d’énergie, des solutions communautaires intelligentes, des systèmes médicaux, des escaliers mécaniques, des ascenseurs et des appareils ménagers).
Toshiba a été fondée en 1875 et exploite aujourd’hui un réseau mondial de plus de 550 sociétés consolidées, avec 202 000 employés à travers le monde et des ventes annuelles dépassant les 6,1 trillions de yens (74 milliards USD). Consultez le site Web de Toshiba à l’adresse www.toshiba.co.jp/index.htm
Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.
Contacts
Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
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