Monday, January 28, 2013
Toshiba va présenter les technologies de pointe à nano tech 2013
TOKYO - Lundi 28 Janvier 2013 [ME NewsWire]
nano tech 2013
(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd’hui les différentes technologies innovantes que la société va présenter à « nano tech 2013 – The 12th International Nanotechnology Exhibition & Conference », le plus grand salon mondial de la nanotechnologie, qui se tiendra au Tokyo Big Sight à partir du 30 janvier jusqu’au 1er février .http://www.nanotechexpo.jp/en/index.html
Toshiba est présent dans le monde entier dans le secteur de la communauté smart qui est considéré comme un secteur de croissance à l’avenir. Dans l’exposition à venir, Toshiba va présenter ses produits de nanotechnologie de nouvelle génération, qui permettront d’obtenir une « innovation totale de stockage » et une « innovation totale d’énergie » Ces innovations vont servir de catalyseurs pour la réalisation d’un concept de communauté smart proposé par le groupe Toshiba.
Le groupe Toshiba présentera sa vaste gamme de nanotechnologies dans 14 domaines technologiques sur trois espaces d’exposition, dont chacune portera sur les « innovations totales de stockage », les « matériaux avancés et sophistiqués » et les « innovations énergétiques totales ».
Expositions
1. Innovations totales de stockage
1.
Mémoire flash NAND avec la technologie avancée des processus
Technologie de processus NAND 19 nm, démonstration de vitesse de propulsion hybride (disque dur intégré avec mémoire flash NAND)
2.
Structure de tête tricouche pour disque dur
Technologies et matériaux de conception de nanostructures magnétiques et films nécessaires à la réalisation des têtes de lecture à grande capacité pour les disques durs
3.
Technologies de trame de masque de pointe
Technologie de trame de masque de faisceau d’électrons de pointe (appareil hp22nm) requis pour les processus de semiconducteur de nouvelle génération
4.
Directed Self-Assembly Lithography (DSAL) (lithographie à auto-assemblage dirigé)
Technologie de nanostructuration à faible coût pour le nœud 10 nm par revêtement, traitement thermique et développement polymère
5.
Technique avancée d’analyse de matériau avec une résolution nanométrique spatiale
Technologie d’analyse de structure d’appareil au niveau atomique sous-tendant la fiabilité semi-conducteurs
6.
Films transparents conducteurs composés de graphène et de nanofil en argent
Technologie pour la formation de films multicouches se composant de graphène, nanofils en argent, et de polymères pour réaliser des films transparents conducteurs qui aident à réduire le poids et augmenter la flexibilité des dispositifs photoélectriques
2. Matériaux avancés et sophistiqués
1.
Céramique de nitrure ayant une conductivité thermique élevée
Panneaux de céramique haute-conductivité thermique, haute isolation et haute résistance pour réduire la consommation d’énergie, réduire la taille et améliorer les performances des composants et des modules électroniques
2.
Matériaux luminescents à nanostructure contrôlée (phosphore S-SIALON / scintillateur X-ray Gd2O2S:Pr (GOS))
Technologie de matériau luminescent qui permet de contrôler l’émission de lumière en fonction des applications telles que l’éclairage LED et les systèmes d’inspection à rayons X
3.
Nouveau matériau tungstène (Photocatalyse, électrode gratuit Thoria)
La technologie des matériaux en tungstène permet la manifestation de nouvelles fonctionnalités ou de performances élevées comme les photocatalyseurs, électrodes thermioniques, etc
3. Innovations énergétiques totales
1.
Photovoltaïque organique
Technologie de contrôle par nanostructure des films organiques pour réaliser des cellules photovoltaïques à film organique avec une efficacité de conversion la plus élevée au monde, convenant pour une utilisation d’éclairage intérieur
2.
Aimant permanent dy-free pour les moteurs
Technologie de fabrication à échelle nanométrique pour les matériaux magnétiques pour réaliser des moteurs à haut rendement avec une réduction des risques des ressources naturelles
3.
Batterie rechargeable SCiB™ pour les applications automobiles et fixes
Technologie et applications d’électrode composite Nano LTO pour réaliser des piles rechargeables de haute performance avec entrée / sortie haute, une faible résistance et une longue durée de vie
4.
Filtre supraconducteur pour radars météorologiques
Technologie de contrôle nano-interface pour un filtre supraconducteur conçu pour les radars météorologiques capable d’observer les pluies torrentielles localisées
5.
Éclairage de nouvelle génération (éclairage OLED, source de lumière à excitation LD)
Technologie de contrôle de structure organique de film pour obtenir un éclairage OLED pour la vie quotidienne et les sources de lumière à excitation LD
À propos de Toshiba
Toshiba est un fabricant leader mondial diversifié qui propose des solutions et commercialise des produits et systèmes électroniques et électriques sophistiqués. Le groupe Toshiba apporte l’innovation et l’imagination à un large éventail de métiers : les produits numériques (notamment les téléviseurs LCD, les PC portables, les solutions de vente au détail et multifonctions) ; les dispositifs électroniques (y compris les semi-conducteurs, les produits et le matériel de stockage) ; les systèmes d’infrastructure industrielle et sociale (dont les systèmes de production d’énergie, les solutions communautaires intelligentes, les systèmes médicaux, les escaliers mécaniques et les ascenseurs, ainsi que les appareils ménagers).
Toshiba a été fondée en 1875 et exploite aujourd’hui un réseau mondial de plus de 550 sociétés consolidées, avec 202 000 employés dans le monde et des ventes annuelles dépassant les 6,1 trillions de yens (74 milliards USD). Visitez le site Web de Toshiba à l’adresse www.toshiba.co.jp/index.htm
Les informations contenues dans le présent document, y compris les prix et spécifications des produits, le contenu des services et les coordonnées, sont valables à la date du présent communiqué de presse, mais sont sujettes à modifications sans préavis.
Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.
Contacts
Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kunio Noguchi, +81-3-3457-3367
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Permalink: http://me-newswire.net/news/6792/fr
Subscribe to:
Post Comments (Atom)
No comments:
Post a Comment